RF Micro Devices, un fournisseur de circuits intégrés RF, vient de réaliser des cellules solaires sur une ligne de production dédiée à l'arséniure de gallium (GaAs) dans son usine de Greensboro, en Caroline du Nord (Etats-Unis) ; la société avait annoncé un accord de coopération avec le laboratoire américain NREL en juillet 2009, qui porte sur la mise au point d'un procédé de type semiconducteur pour la fabrication de cellules PV à jonction multiple de hautes performances pour des centrales PV à concentration ….

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Le résultat obtenu par RF Micro Devices est le fruit de la première phase de cette coopération. Les deux partenaires engagent maintenant la deuxième étape, qui va consister à réaliser des prototypes de cellules solaires utilisables pour des démonstrateurs systèmes, avant de passer à la phase d'industrialisation, l'objectif final étant de produire en volume des cellules solaires de hautes performances et fiabilité, le tout à bas coût, d'ici fin 2012.

Le NREL a, quant à lui, déjà réalisé des cellules solaires en composés III-V à jonction multiple en laboratoire, et a atteint un rendement de conversion de 40,8%.