L’Américain Spire Semiconductor, filiale de Spire Corporation, vient de réaliser une cellule solaire en composés III-V à concentration presque directement industrialisable affichant un rendement de 41% ; début 2009, la société avait obtenu une subvention de 3,7 M$ du NREL (Laboratoire national des énergies renouvelables) pour développer une cellule solaire en GaAs à triple jonction avec un rendement de 42,5%, destinée à des systèmes PV à concentration dans le cadre d'un projet d’une durée de 18 mois …

Le NREL a confirmé le taux de conversion de 41% obtenu par Spire, qui égale ainsi quasiment le record actuel (41,1%) détenu par l’Institut Fraunhofer des systèmes solaires de Fribourg, en Allemagne, depuis janvier 2009.

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Selon la société d’études CPV Today, les cellules solaires à jonctions multiples et à concentration pourraient atteindre un rendement de conversion de 50% d’ici 2015.